硅片腐蚀服务为先「苏州晶淼半导体」

目前在 半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何改善制程中所产生污染，便成为清洗制程中研究主要的课题。

过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。

清洗机操作规程

准备前奏检查管路系统有无漏气漏水的情况，如有这种情况，应通知维修人员修理。检查清洗液是否足够，如果不够，及时增加清洗液。先点动试车，然后空运转2-3分钟，检查传动系统（电动机、联轴节、减速器）和运输带的运动是否平稳，确认一切正常后，方可进行生产。开启浮油排除装置（不带浮油排除装置除外）开始浮油排除，因此时水泵尚开启，水面平静，排油效果*好，待浮油基本排除后停止除油，排油污多克利用午休时间进行。操作事项被清洗的零件要整齐地放在运输带上，不许压在滚轮上；在运输带上，被清洗的零件不能堆得过多，以免影响清洗效果。工作后，被清洗的零件不能停放在运输带上， 按停止按钮，使全机停止运行。清洗机 cleaning machine 采用不同的方法清洗包装容器、包装材料、包装辅助物、包装件，达到预期清洁程度的机器。清洗液应定期添加水和一定比例的金属清洗剂以补充消耗，使液面保持在一定高度，如果清洗效果达不到规定的工艺要求时，应全部更换清洗液。

影响超声清洗效果的其它因素

被清洗件的声学特性和在清洗槽中的排列对清洗效果也有较大的影响，吸声大的清洗对象，如橡胶，布料等清洗效果差，而对声反射强的清洗件，如金属件，玻璃制品的清洗效果好。清洗件面积小的一面应朝声源排放，排列要有一定的间距；清洗件不能直接放在清洗槽底部；尤其是较重的清洗件，以免影槽底板的振动，也避免清洗件擦伤底板而加速空化腐蚀。清洗件*好是悬挂在槽中，或用金属罗筐盛好悬挂．但须注意要用金属丝做成．并尽可能用细丝做咸空格较大的筐，以减少声的吸收和屏蔽。

清洗液的流动速度对超声清洗效果也有很大影响，*好是在清洗过程中液体静止不流动，这时泡的生长和闭·运动能够充分完成。如果清洗液的流速过快，则有些空化核会被流动的液体带走有些空化核则在没有达到生长闭·运动整过程时就离开声场，因而使总的空化 强度降低。在实际清洗过程中有时为避免污物重新粘附在清洗件上．清洗液需要不断流动更新，此时应注意清洗液的流动速度不能过快，以免降低清洗效果。