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半导体封装形式介绍

3．3．5 封装晶片级封装CSP(Chip Scale Package)。几年之前以上所有的封装其封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来和以前封装的区别。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1．4或1．2的定为CSP。目前开发应用为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存件和逻辑器件。就目前来看CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百以上。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置，如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机等。

离子刻蚀设备在光刻胶涂层和光刻显影后，将光刻胶用作掩模，通过物理溅射和化学作用去除不需要的金属，从而得到与光刻胶图案相同的线条形状。目前，等离子刻蚀设备是主流的干法刻蚀方法，由于刻蚀速度快、定向性好，正在逐步取代湿法刻蚀。影响氮化硅侧壁刻蚀角度的参数：在半导体集成电路中，真空等离子刻蚀设备的刻蚀工艺不仅可以刻蚀表面层的光刻胶，还可以刻蚀下层的氮化硅层。

干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。