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湿法刻蚀设备

是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。简单来说，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来，上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差，也就无法高质量地完成图形转移的工作，因此随着特征尺寸的减小，在图形转移过程中基本不再使用。目前，湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节，而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。

注意事项

1·当操作高压清洗机时：始终需戴适当的护目镜，手套和面具。

2·始终让保持手和脚不接触清洗喷嘴。

3·经常要检查所有的电接头。

4·经常检查所有的液体。

5·经常检查软管是否有裂缝和泄漏处。

6·当未使用时，总是需将设置处于安全锁定状态。

7·总是尽可能地使用*低压力来工作，但这个压力要能足以完成工作。

8·在断开软管连接之前，总是要先释放掉清洗机里的压力。

9·每次使用后总是要排干净软管里的水。

10·决不要将设备对着自己或其他人。

11·在检查所有软管接头都已在原位锁定之前，决不要启动设备。

12·在接通供应水并让适当的水流过之前，决不要启动设备。然后将所需要的清洗喷嘴连接到喷杆上。

注意：不要让高压清洗机在运转过程中处于无人监管的状态。每次当你释放时泵将运转在旁路模式下，如果一个泵已经在旁路模式下运转了较长时间后，泵里循环水的过高温度将缩短泵的使用寿命甚至损坏泵。所以，应避免使设备长时间运行在旁路模式。

硅片腐蚀利用晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。解释：①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子。②是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为：2NaCl + 2H2O ==通电== 2NaOH + Cl2↑ + H2↑ 。分③碱性腐蚀优点是反应生成物无·，不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有·的NOx气体污染大气。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。

清洗设备是指废旧塑料瓶、塑料薄膜等废旧塑料经过清洗、烘干、加工制作成重新再利用的机械设备。清洗设备分为：pet瓶片清洗设备、不锈钢成套清洗设备、塑料清洗设备、新型清洗设备、小型清洗设备、中型清洗设备等。Pet瓶片清洗设备是指全自动聚酯（如矿泉水瓶、苏打水瓶）片料回收清洗、脱水、干燥生产线，pet瓶片清洗设备（饮料瓶片清洗机设备、pet清洗机组）该生产线月产量可达300－1200吨，自动化程度高，从破碎、输送、清洗、漂洗、脱水、干燥一体化。

清洗设备是指可用于替代人工来清洁工件表面油、蜡、尘、氧化层等污渍与污迹的机械设备。目前市面上所见到清洗设备为：超声波清洗、高压喷淋清洗、激光清洗、蒸汽清洗、干冰清洗及复合型清洗设备等；