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蚀刻气体将气体与衬底分离并从衬底中提取气体。空管。在相同条件下，氧等离子体处理比氮等离子体处理更有效。安等离子蚀刻技术，如果需要蚀刻，如果需要去除蚀刻后的污渍、浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或其他蚀刻应用。附着力、焊接、印刷、涂装、涂装后道工序的附着力和良率。现已成为材料表面性能处理的表面改性工具。

反应离子刻蚀原理是将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料，表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。

清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

刻蚀是半导体制造三大步骤之一刻蚀已经成为半导体晶圆制造中的关键步骤，在半导体制造中重要性凸显。半导体制造主要步骤包括光刻、刻蚀、以及薄膜沉积三大步骤，并且不断循环进行，以构造出复杂精细的电路结构。而这三个环节工艺的***程度也直接决定了晶圆厂生产高制程产品的能力，以及芯片的应用性能。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

腐蚀机对功率半导体器件中半导体芯片进行腐蚀加工均采用人工操作，即先人工将半导体芯片除台面外的两面涂黑蜡保护，再人工将半导体芯片台面进行腐蚀、清洗，人工用有机物去除黑蜡、清洗、烘干。现有人工对半导体芯片台面进行腐蚀不仅存在手工涂蜡浪费人力及有机物的问题，而且还存在不能在保持芯片干净的情况下直接进行烘干的问题。